Lors du SAFE Forum (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), Samsung a dévoilé ses projets pour les futurs nœuds semi-conducteurs. L’année dernière, la société a dévoilé l’Exynos 2600, la première puce pour smartphone de 2 nm – celle-ci a été réalisée sur le nœud SF2, comme l’appelle Samsung.
La prochaine étape est SF2P, qui réduira la consommation d’énergie de 26 % et augmentera la vitesse d’horloge de 15 %. Le nouveau nœud n’est que partiellement responsable de ces améliorations. Shin Jong-shin, vice-président de l’équipe de développement de la plate-forme de conception chez Samsung Foundry, attribue plus de la moitié des gains à DTCO.
DTCO, ou Design-Technology Co-Optimization, est une approche de fabrication de puces qui combine la méthodologie de fabrication de semi-conducteurs et la conception de puces. Traditionnellement, il s’agit de deux étapes distinctes dans la construction d’une nouvelle puce, mais travailler dessus simultanément permet de mieux optimiser les conceptions. Cela conduit à des vitesses plus élevées, à une consommation réduite et même à des économies de coûts.
SF2P+ viendra ensuite – la production de masse devrait démarrer entre 2027 et 2028. Un autre nœud est également en préparation, SF2X, mais celui-ci sera optimisé pour le matériel d’IA.
Samsung travaille également sur les moyens d’intégrer davantage de SRAM sur les puces. La SRAM est utilisée pour construire les registres et le cache d’un CPU ou d’un GPU. C’est super rapide, mais prend plus de place que la DRAM – pour mettre les choses en perspective, une cellule SRAM typique (qui stocke un seul bit, c’est-à-dire un 0 ou un 1) a besoin de 6 transistors, tandis qu’une cellule DRAM n’a besoin que d’un seul transistor.
Le GPU Nvidia Rubin (fabriqué sur le nœud N3 de TSMC) dispose de 128 Mo de SRAM intégrée. Samsung et Groq travaillent sur un accélérateur LLM qui disposera de plus de 500 Mo de SRAM et ce sur l’ancien nœud 4 nm. Rebellions, soutenu par Samsung, a présenté l’accélérateur d’IA REBEL-100, actuellement produit sur le nœud 4 nm de Samsung.
Après l’ère 2 nm, Samsung passera aux nœuds 1,4 nm à partir de SF1.4, dont la production de masse est prévue pour 2029. Il sera suivi par SF1.4+ en 2030. SF1.4 était initialement prévu pour 2027, mais le calendrier a été repoussé il y a quelques années.
