Un nouveau rapport en provenance de Corée du Sud suggère que Samsung Foundry a franchi une étape importante dans la production de son procédé FinFET 4 nm. Selon SEQuotidiennementSamsung Foundry a dépassé le taux de rendement de 80 % pour son procédé 4 nm, ce qui signifie qu’elle est désormais fermement dans la phase de maturité du processus.
Feuille de route technologique des processus de Samsung Foundry
Ce développement positionne Samsung pour affronter son rival TSMC en répondant à la demande sans précédent de puces mémoire des grandes entreprises technologiques. Le campus Pyeongtaek de Samsung Electronics, qui produit également des puces 5 nm et 7 nm, est désormais prêt à fournir ses puces 4 nm aux accélérateurs d’IA ainsi qu’aux clients des domaines de l’automobile et de la technologie mobile. Le processus 4 nm de Samsung Foundry est également notamment utilisé comme puce de base pour les puces mémoire HBM4 de sixième génération.
Campus de Pyeongtaek de Samsung Electronics
Avec six ans de production en masse de puces 4 nm à son actif, le processus 4 nm désormais mature de Samsung devrait aider l’entreprise à limiter les coups de la hausse des prix de la mémoire et à renouer avec la rentabilité au second semestre de cette année.
