Samsung présente une grande variété de technologies de mémoire et de stockage sur son stand lors de l’événement Future of Memory and Storage (FMS) 2026 à Santa Clara, en Californie.
Treize ans après avoir introduit la première technologie V-NAND, Samsung est le premier à dévoiler la V10 de BV-NAND (Bonded V-NAND). Il s’agit d’une mémoire flash composée de plus de 400 couches et qui exploite la technologie de liaison avancée de Samsung pour empiler les cellules de mémoire.
Le V10 augmente la densité de mémoire d’environ 58 % par rapport au précédent V9. Le nombre de couches plus élevé donne au V10 de meilleures performances de lecture, d’écriture et d’E/S. Cela améliore également l’efficacité énergétique.
Samsung a commencé à expédier des échantillons HBM4E à ses clients il y a quelques mois et a également présenté le HBM5 au FMS, qui est la prochaine norme majeure de l’industrie en matière de mémoire à large bande passante (HBM).
Cependant, Samsung propose également une solution propriétaire appelée zHBM, qui promet des performances environ huit fois supérieures à celles du HBM5. Cela s’appuie également sur l’expertise de Samsung en matière de liaison de plaquettes et peut atteindre 10 fois la densité de mémoire du HBM5 tout en triplant l’efficacité énergétique.
zHBM est conçu pour s’empiler au-dessus des accélérateurs d’IA au lieu d’être placé à côté d’eux sur le tableau. Cela minimise la distance que les signaux de données doivent parcourir, ce qui permet des vitesses plus élevées et une efficacité énergétique supérieure.
Samsung a également présenté zNAND-O, une mémoire flash de nouvelle génération basée sur sa technologie V-NAND. Il développe des versions à 4 et 8 couches et promet une efficacité spatiale élevée, des performances d’E/S améliorées et une latence plus faible par rapport au stockage NAND classique. zNAND-O est destiné à l’IA de pointe (plus proche de l’utilisateur), tandis que zHBM est destiné à la formation et à l’inférence de l’IA dans le cloud.
De plus, Samsung a présenté le LPDDR5X-PIM, la première RAM LPDDR du secteur avec traitement en mémoire (PIM). Cela effectue une partie du traitement des données dans la mémoire elle-même avant d’envoyer les résultats au processeur. Cela améliore à la fois la bande passante et l’efficacité énergétique.
La présentation principale lors de l’ouverture était intitulée « Piloter la vague de révolution de l’IA : innovations 3D dans l’architecture de mémoire et de stockage » et a été présenté par Jin-Yub Lee, vice-président exécutif et responsable des produits et technologies Flash, et Kyungryun Kim, vice-président et chef de projet de l’équipe de conception DRAM. Le discours d’ouverture a présenté les idées de Samsung sur la façon de maximiser les performances et l’efficacité énergétique du système d’IA.
