Le matériel IA n’utilise pas de mémoire DDR standard – il est trop lent. Au lieu de cela, le format préféré est la mémoire à bande passante élevée ou HBM. SK hynix vient d’annoncer avoir commencé à livrer des échantillons du dernier HBM4E à ses clients.
HBM4E offre 16 Gbit/s de bande passante par broche. À titre de comparaison, la norme HBM4 précédente faisait 10 Gbit/s par broche. Samsung a commencé à échantillonner sa propre conception HBM4E il y a un mois et revendiquait 14 Gbit/s par broche.
Le modèle actuellement expédié aux partenaires de SK hynix comporte 12 matrices empilées les unes sur les autres. Cette conception à 12 couches équivaut à 48 Go de capacité – c’est-à-dire par pile, bien sûr, et la plupart des conceptions d’accélérateurs d’IA utiliseront plusieurs piles.
SK hynix affirme que sa mémoire HBM4E est 20 % plus économe en énergie que la précédente HBM4. De plus, il construit les piles à l’aide de MR-MUF – Mass Reflow Molded Underfill – qui utilise un liquide protecteur entre les puces en silicium pour protéger les circuits qui s’y trouvent. Le résultat final a une résistance à la chaleur 17 % inférieure à celle de l’ancienne conception, ce qui facilitera le refroidissement.
La mémoire HBM4E de SK hynix fait 16 Gbit/s par broche et est 20 % plus économe en énergie
« La société a pu livrer des échantillons du HBM4E à 12 piles dans les délais prévus grâce à son expertise avancée en matière de développement et de production de HBM. Nous travaillerons en étroite collaboration avec des partenaires pour une production de masse dans les meilleurs délais », écrit SK hynix dans son communiqué de presse.
