L’industrie des smartphones est actuellement engagée dans une course aux armements agressive. Alors que les fabricants s’efforcent d’obtenir des vitesses d’horloge plus élevées pour surpasser la concurrence, ils se heurtent à un mur physique : la chaleur. Selon les derniers rapports, Qualcomm se tourne vers une solution de refroidissement spécialisée fabriquée par Samsung appelée technologie Heat Pass Block (HPB) pour répondre aux demandes thermiques de son prochain Snapdragon 8 Elite Gen 6.
Pendant des années, les smartphones se sont appuyés sur des chambres à vapeur et des feuilles de graphite pour contrôler les températures internes. Cependant, ces systèmes de refroidissement passifs atteignent leurs limites. Il y a des rumeurs selon lesquelles Qualcomm testerait ses cœurs de performance de nouvelle génération pour atteindre une fréquence massive de 5 GHz. Ainsi, les « anciennes méthodes » de refroidissement ne suffisent tout simplement plus à l’intérieur exigu d’un téléphone moderne.
Qualcomm va adopter la technologie de refroidissement HPB de Samsung dans le Snapdragon 8 Gen 6
Samsung a initialement développé son système Heat Pass Block pour l’Exynos 2600. Pour comprendre son importance, nous devons examiner la façon dont les téléphones sont actuellement construits. Dans les conceptions traditionnelles, la puce RAM se trouve directement au-dessus du processeur. Cela crée un « piège à chaleur » qui rend la respiration du SoC difficile.
L’approche HPB change complètement la mise en page. Il utilise un dissipateur thermique à base de cuivre placé directement sur la puce en silicium, déplaçant la puce DRAM sur le côté. Le cuivre étant un conducteur exceptionnel, il permet à la chaleur de s’échapper beaucoup plus efficacement du processeur. Les premières données suggèrent que cette méthode peut améliorer la résistance thermique d’environ 16 %. Cette marge pourrait être essentielle lorsqu’il s’agit de matériel hautes performances.
Le 5 GHz signalé nécessitera un meilleur refroidissement
Le produit phare actuel de Qualcomm, le Snapdragon 8 Elite Gen 5, est déjà une centrale électrique, mais il obtient ses meilleurs scores en consommant beaucoup plus d’énergie que ses rivaux. Si les rumeurs d’une vitesse d’horloge de 5 GHz pour la génération 6 sont exactes, la consommation d’énergie et la chaleur qui en résulte seront encore plus intenses.
Le passage à un processus de fabrication de 2 nm contribue à l’efficacité. Mais la lithographie ne peut à elle seule résoudre les problèmes thermiques provoqués par des objectifs de performances aussi agressifs. En adoptant potentiellement la technologie HPB de Samsung, Qualcomm pourrait potentiellement permettre à la puce Snapdragon 8 Elite Gen 6 de maintenir ces vitesses élevées pendant de plus longues périodes, le tout sans que l’appareil ne devienne trop chaud ou que le système n’oblige une baisse de performances pour protéger le matériel.
Si la fuite est vraie, cela signifiera de meilleures performances durables pendant les jeux ou le multitâche intensif. À l’approche de la fin de l’année, tous les regards seront tournés vers la question de savoir si cette nouvelle architecture de refroidissement peut réellement franchir l’ambitieuse étape des 5 GHz.
